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TK39N60W5,S1VF /MOSFET Power MOSFET N-Channel
TK39N60W5,S1VF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:38.8 A

Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:135 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:270 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

封装:Tube

高度:20.95 mm

长度:15.94 mm

系列:TK39N60W5

宽度:5.02 mm

商标:Toshiba

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:120 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:200 ns

典型接通延迟时间:180 ns

单位重量:38 g

供应商TK39N60W5,S1VF
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TK39N60W5,S1VFMOSFET N-CH 600V 38.8A T0247Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO245.10 Kbytes共10页TK39N60W5,S1VF的PDF下载地址
TK39N60W5,S1VF(S连续漏极电流(Id)(25°C 时):38.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.9mA 漏源导通电阻:74mΩ @ 19.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):270W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO245.90 Kbytes共10页TK39N60W5,S1VF(S的PDF下载地址
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TK39N60W5,S1VFToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel1:¥71.6872
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25:¥58.7826
50:¥57.3249
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TK39N60W5,S1VF(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):38.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.9mA 漏源导通电阻:74mΩ @ 19.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):270W(Tc) 类型:N沟道1+:¥20.63
10+:¥17.96
30+:¥17.47
100+:¥16.98
500+:¥16.76
1000+:¥16.49