数据列表：TK39J60W -

特色产品：DTMOSIV Superjunction MOSFETs

标准包装：25

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：超级结

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：38.8A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 19.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 1.9mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：110nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4100pF @ 300V

功率 - 最大值：270W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3P（N）

其它名称：TK39J60WS1VQ