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TK39N60W,S1VF /MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
TK39N60W,S1VF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:38.8 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:110 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:270 W

配置:Single

商标名:DTMOSIV

高度:20.95 mm

长度:15.94 mm

系列:TK39N60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.02 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:50 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:200 ns

典型接通延迟时间:80 ns

单位重量:38 g

供应商TK39N60W,S1VF
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13332931905
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北京芯时代电子科技发展有限公司TK39N60W,S1VF北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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19854773352
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13380394549
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深圳亿恒升电子有限公司TK39N60W,S1VF都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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TK39N60W,S1VF的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK39N60W,S1VFToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF1+:¥75.65
10+:¥68.08
50+:¥62.03
100+:¥55.9801
250+:¥51.44
500+:¥46.9
1000+:¥40.85
2500+:¥39.34
5000+:¥37.82
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Mouser 贸泽电子
TK39N60W,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF1:¥79.9136
25:¥65.54
100:¥59.0877
500:¥49.5618
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Mouser 贸泽电子
TK39N60W,S1VFToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF1+:¥75.65
10+:¥68.08
50+:¥62.03
100+:¥55.9801
250+:¥51.44
500+:¥46.9
1000+:¥40.85
2500+:¥39.34
5000+:¥37.821+:¥60.3
10+:¥54.25
25+:¥49.36
100+:¥44.8099
250+:¥44.8099
500+:¥44.8099
1000+:¥41.14
2500+:¥41.07
5000+:¥41.33