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TK20A60U(STA4,Q,M) /MOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA
TK20A60U(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Qg-栅极电荷:27 nC

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

产品:DTMOS

系列:TK20A60U

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:80 ns

供应商TK20A60U(STA4,Q,M)
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TK20A60U(STA4,Q,M)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 1mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO273.46 Kbytes共6页TK20A60U(STA4,Q,M)的PDF下载地址
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TK20A60U(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品500+:¥20.38
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TK20A60U(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品500+:¥20.38500+:¥18.55
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TK20A60U(STA4,Q,M)TOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 1mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥10.34
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