包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）9 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）13nC @ 10V

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）320pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）20W（Tc）

工作温度150°C

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PW-MOLD

封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63