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TK20A25D,S5Q(M /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TK20A25D,S5Q(M的规格信息
TK20A25D,S5Q(M的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):250V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2550pF @ 100V

功率 - 最大值:45W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220SIS

其它名称:TK20A25D(Q)TK20A25D(Q)-NDTK20A25DQTK20A25DS5Q(M

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TK20A25D,S5Q(MMOSFET N-CH 250V 20A TO-220SISToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO233.91 Kbytes共9页TK20A25D,S5Q(M的PDF下载地址
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