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TK12A60W,S4VX /MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
TK12A60W,S4VX的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:11.5 A

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK12A60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:85 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:6 g

供应商TK12A60W,S4VX
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TK12A60W,S4VX的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK12A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC50+:¥23.4099
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Mouser 贸泽电子
TK12A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC1:¥31.4253
10:¥25.2781
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250:¥20.7468
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Mouser 贸泽电子
TK12A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC50+:¥23.40991+:¥23.19
10+:¥20.7101
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250+:¥15.41
500+:¥15.41
1000+:¥14.7
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TK12A60W,S4VXTOSHIBA(东芝)预售新品1+:¥7.75
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