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TK11A65D(STA4,X,M) /连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:700mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道
TK11A65D(STA4,X,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)11A

栅源极阈值电压4V @ 1mA

漏源导通电阻700mΩ @ 5.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)

类型N沟道

供应商TK11A65D(STA4,X,M)
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深圳市星宇佳科技有限公司TK11A65D(STA4,X,M)深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司TK11A65D(STA4,X,M)深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市骏凯诚科技有限公司TK11A65D(STA4,X,M)深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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