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TK11A65W,S5X /MOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
TK11A65W,S5X的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:11.1 A

Rds On-漏源导通电阻:330 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK11A65W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

单位重量:6 g

供应商TK11A65W,S5X
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深圳市星宇佳科技有限公司TK11A65W,S5X(M深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司TK11A65W,S5X深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
北京芯时代电子科技发展有限公司TK11A65W,S5X北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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王静Email:wangjing@chipspower.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司TK11A65W,S5X龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
集好芯城TK11A65W,S5X深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司TK11A65W,S5X深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城TK11A65W,S5X深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司TK11A65W,S5X深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市雄创芯业电子科技有限公司TK11A65W,S5X深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司TK11A65W,S5X广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市高捷半导体有限公司TK11A65W,S5X深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市瑞浩芯科技有限公司TK11A65W,S5X深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市毅创腾电子科技有限公司TK11A65W,S5X深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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上海三崧电子有限公司TK11A65W,S5X上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市拓亿芯电子有限公司TK11A65W,S5X深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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TK11A65W,S5XMOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO237.63 Kbytes共10页TK11A65W,S5X的PDF下载地址
TK11A65W,S5XMOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SISToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO237.63 Kbytes共10页TK11A65W,S5X的PDF下载地址
TK11A65W,S5X(M连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.1A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 450uA 漏源导通电阻:390mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO237.51 Kbytes共10页TK11A65W,S5X(M的PDF下载地址
TK11A65W,S5X的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK11A65W,S5XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥14.98
10+:¥13.5
25+:¥12.06
100+:¥10.85
250+:¥9.64
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Digi-Key 得捷电子
TK11A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS$2.15000
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Mouser 贸泽电子
TK11A65W,S5XToshibaMOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS1:¥15.8313
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9948
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Mouser 贸泽电子
TK11A65W,S5XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥14.98
10+:¥13.5
25+:¥12.06
100+:¥10.85
250+:¥9.64
500+:¥8.44
1000+:¥6.99
2500+:¥6.5150+:¥9.61
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25000+:¥6.05
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立创商城
TK11A65W,S5X(MTOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.1A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 450uA 漏源导通电阻:390mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.81
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100+:¥3.85
500+:¥3.74
1000+:¥3.68