系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：126nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：11113pF @ 30V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB

封装形式Package：TO-263-3

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：120A

漏源极导通电阻RDS(ON)：2.6mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：1.2V

无铅情况/RoHs：否