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SUM110N10-09-E3 /MOSFET 100V 110A 375W
SUM110N10-09-E3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:110 A

Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:110 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:SUM

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:130 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:125 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:1.438 g

供应商SUM110N10-09-E3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SUM110N10-09-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市芯幂科技有限公司SUM110N10-09-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市星宇佳科技有限公司SUM110N10-09-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SUM110N10-09-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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