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SUM50020E-GE3 /MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB
SUM50020E-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:128 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

商标名:TrenchFET

封装:Tube

系列:SUM

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:23 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:1.800 g

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