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STQ2LN60K3-AP /MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
STQ2LN60K3-AP的规格信息
STQ2LN60K3-AP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:600 mA

Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:12 nC

Pd-功率耗散:2.5 W

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Ammo Pack

系列:STQ2LN60K3-AP

商标:STMicroelectronics

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.5 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23.5 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:220 mg

供应商STQ2LN60K3-AP
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STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO921+:¥7.13
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STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO921:¥3.842
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