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STQ1NK60ZR-AP /MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
STQ1NK60ZR-AP的规格信息
STQ1NK60ZR-AP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:300 mA

Rds On-漏源导通电阻:15 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:4.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

系列:STQ1NK60ZR

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:0.5 S

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:5.5 ns

单位重量:220 mg

供应商STQ1NK60ZR-AP
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深圳市佳威星科技有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司STQ1NK60ZR-AP航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司STQ1NK60ZR-AP龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市宇浩扬科技有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市斌腾达科技有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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13380394549
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深圳诚思涵科技有限公司STQ1NK60ZR-AP深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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STQ1NK60ZR-APMOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 packageSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO980.74 Kbytes共18页STQ1NK60ZR-AP的PDF下载地址
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STQ1NK60ZR-AP连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1003.24 Kbytes共18页STQ1NK60ZR-AP的PDF下载地址
STQ1NK60ZR-AP的全球分销商及价格
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STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品2000+:¥1.4
4000+:¥1.1799
10000+:¥1.14
50000+:¥1.051+:¥3.25
10+:¥2.19
100+:¥1.44
1000+:¥1.28
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100000+:¥1.061+:¥3.73
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Digi-Key 得捷电子
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品2000+:¥1.4
4000+:¥1.1799
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element14 e络盟电子
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品2000+:¥1.4
4000+:¥1.1799
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10000+:¥1.15
25000+:¥1.11
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100000+:¥1.061+:¥3.73
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100+:¥3.02
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Mouser 贸泽电子
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品2000+:¥1.4
4000+:¥1.1799
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100000+:¥1.06
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Mouser 贸泽电子
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,500:¥1.2995
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Verical
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品2000+:¥1.4
4000+:¥1.1799
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10+:¥3.42
100+:¥3.021+:¥11+:¥1.03
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STQ1NK60ZR-APST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.3391
10+:¥1.0143
30+:¥0.9546
100+:¥0.895
500+:¥0.8684
1000+:¥0.8553