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STQ1NK80ZR-AP /MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
STQ1NK80ZR-AP的规格信息
STQ1NK80ZR-AP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:300 mA

Rds On-漏源导通电阻:16 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Ammo Pack

高度:4.95 mm

长度:4.95 mm

系列:STQ1NK80ZR-AP

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.94 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:55 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:220 mg

供应商STQ1NK80ZR-AP
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深圳市骏凯诚科技有限公司STQ1NK80ZR-AP深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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