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STP7N80K5 /MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
STP7N80K5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:13.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STP7N80K5

商标:STMicroelectronics

下降时间:20.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.3 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11.3 ns

典型接通延迟时间:23.7 ns

单位重量:330 mg

供应商STP7N80K5
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深圳市芯幂科技有限公司STP7N80K5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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STP7N80K5连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.13 Mbytes共28页STP7N80K5的PDF下载地址
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STP7N80K5STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH5?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A SuperMESH 51+:¥20.8
10+:¥16.7299
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Digi-Key 得捷电子
STP7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A TO220$2.05000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
STP7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K51:¥20.7468
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STP7N80K5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.36
10+:¥3.265