图像仅供参考,请参阅规格书
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
功率耗散(最大值)169W(Tc)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220
封装/外壳TO-220-3
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs