其它有关文件：STP21N65M5 View All Specifications

产品培训模块：5th Generation High Voltage Mosfet Technology

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MDmesh? V

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 8.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1950pF @ 100V

功率 - 最大值：125W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

工具箱：497-8012-KIT-ND - KIT MOSFET MD MESH

其它名称：497-10077-5