其它有关文件：STP210N75F6 View All Specifications

特色产品：STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：DeepGATE?，STripFET? VI

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：171nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：11800pF @ 25V

功率 - 最大值：300W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220

其它名称：497-11334-5