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STP15810 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道
STP15810的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)110A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻4.2mΩ @ 55A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)250W(Tc)

类型N沟道

供应商STP15810
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STP15810连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO353.73 Kbytes共13页STP15810的PDF下载地址
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STP15810ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.14
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