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STP13NM60ND /MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
STP13NM60ND的规格信息
STP13NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:24.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:109 W

配置:Single

封装:Tube

系列:STP13NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:15.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9.6 ns

典型接通延迟时间:46.5 ns

单位重量:330 mg

供应商STP13NM60ND
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现代芯城(深圳)科技有限公司STP13NM60NDwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STP13NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市仓实科技有限公司STP13NM60ND深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STP13NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市赛美科科技有限公司STP13NM60ND广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市捷芯微科技有限公司STP13NM60ND深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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STP13NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II1+:¥29.16
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STP13NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 11A TO220$3.15000
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Mouser 贸泽电子
STP13NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II1:¥29.041
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Mouser 贸泽电子
STP13NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II1+:¥29.16
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