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STP150N10F7 /MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
STP150N10F7的规格信息
STP150N10F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:110 A

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:117 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

商标名:STripFET

封装:Tube

系列:STP150N10F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:33 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:57 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:72 ns

典型接通延迟时间:33 ns

单位重量:330 mg

供应商STP150N10F7
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STP150N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A1+:¥19.79
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STP150N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 110A TO220$2.24000
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Mouser 贸泽电子
STP150N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A1:¥24.8148
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STP150N10F7ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道1+:¥18.03
10+:¥17.54
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