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STN4NF20L /MOSFET N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II
STN4NF20L的规格信息
STN4NF20L的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:1 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STN4NF20L

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:10.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

单位重量:250 mg

供应商STN4NF20L
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现代芯城（深圳）科技有限公司STN4NF20Lwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STN4NF20L深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司STN4NF20L深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市微碧半导体有限公司STN4NF20L-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市成源运利电子科技有限公司STN4NF20L深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市坤融电子有限公司STN4NF20L航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STN4NF20L深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳和润天下电子科技有限公司STN4NF20L深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STN4NF20L深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市辉华拓展电子有限公司STN4NF20L深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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芯莱德电子（香港）有限公司STN4NF20L深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STN4NF20L深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司STN4NF20L深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司STN4NF20L深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司STN4NF20L深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市高捷半导体有限公司STN4NF20L深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市创科捷佳电子有限公司STN4NF20L深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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Digi-Key 得捷电子		STN4NF20LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 1A SOT-223$0.68000
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立创商城		STN4NF20LST(意法半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.3W(Tc) 类型：N沟道1+:￥1.1222
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