• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
STN3P6F6 /MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
STN3P6F6的规格信息
STN3P6F6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STN3P6F6

晶体管类型:1 P-Channel

类型:P Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:3.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.3 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:6.4 ns

单位重量:250 mg

供应商STN3P6F6
STN3P6F6的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STN3P6F6www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STN3P6F6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司STN3P6F6深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司STN3P6F6航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STN3P6F6深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司STN3P6F6深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STN3P6F6深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STN3P6F6深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司STN3P6F6深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STN3P6F6深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司STN3P6F6深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453,18929374037,18922803401
Email:seven@7-ic.com询价
深圳市莉诚科技有限公司STN3P6F6新安街道新安六路勤业商务中心A座42913823158773
13823158773,18124725558
Email:1574277398@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司STN3P6F6深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司STN3P6F6深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市高捷半导体有限公司STN3P6F6深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司STN3P6F6华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市创科捷佳电子有限公司STN3P6F6深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
13286466676
詹嘉捷Email:jeyzhan@ckjj-ic.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司STN3P6F6深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司STN3P6F6深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
上海三崧电子有限公司STN3P6F6上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
STN3P6F6及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
STN3P6F6MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VISTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO476.82 Kbytes共13页STN3P6F6的PDF下载地址
STN3P6F6MOSFET P-CH 60V SOT223STMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO589.61 Kbytes共13页STN3P6F6的PDF下载地址
STN3P6F6连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tpcb) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.6W(Tc) 类型:P沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO589.61 Kbytes共13页STN3P6F6的PDF下载地址
STN3P6F6的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
STN3P6F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI4000+:¥2.56
8000+:¥2.46
24000+:¥2.411+:¥5.3301
10+:¥4.15
100+:¥3.3
500+:¥3.0099
1000+:¥2.8599
4000+:¥2.62
8000+:¥2.55
24000+:¥2.47
48000+:¥2.424000+:¥2.574000+:¥1.891+:¥2.62
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
STN3P6F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI4000+:¥2.56
8000+:¥2.46
24000+:¥2.411+:¥5.3301
10+:¥4.15
100+:¥3.3
500+:¥3.0099
1000+:¥2.8599
4000+:¥2.62
8000+:¥2.55
24000+:¥2.47
48000+:¥2.424000+:¥2.57
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
STN3P6F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI4000+:¥2.56
8000+:¥2.46
24000+:¥2.41
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
STN3P6F6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 60V SOT223$0.79000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
STN3P6F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI4000+:¥2.56
8000+:¥2.46
24000+:¥2.411+:¥5.3301
10+:¥4.15
100+:¥3.3
500+:¥3.0099
1000+:¥2.8599
4000+:¥2.62
8000+:¥2.55
24000+:¥2.47
48000+:¥2.424000+:¥2.574000+:¥1.89
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STN3P6F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI4000+:¥2.56
8000+:¥2.46
24000+:¥2.411+:¥5.3301
10+:¥4.15
100+:¥3.3
500+:¥3.0099
1000+:¥2.8599
4000+:¥2.62
8000+:¥2.55
24000+:¥2.47
48000+:¥2.42
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STN3P6F6STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI1:¥5.4579
10:¥4.5539
100:¥2.938
1,000:¥2.3504
4,000:¥1.9775
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
STN3P6F6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI4000+:¥2.56
8000+:¥2.46
24000+:¥2.411+:¥5.3301
10+:¥4.15
100+:¥3.3
500+:¥3.0099
1000+:¥2.8599
4000+:¥2.62
8000+:¥2.55
24000+:¥2.47
48000+:¥2.424000+:¥2.574000+:¥1.891+:¥2.621+:¥2.71
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
STN3P6F6ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tpcb) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.6W(Tc) 类型:P沟道1+:¥3.3
10+:¥3.21
30+:¥3.15
100+:¥3.09