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STN3N40K3 /MOSFET N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W
STN3N40K3的规格信息
STN3N40K3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:400 V

Id-连续漏极电流:1.8 A

Rds On-漏源导通电阻:3.4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STN3N40K3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:250 mg

供应商STN3N40K3
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现代芯城(深圳)科技有限公司STN3N40K3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STN3N40K3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STN3N40K3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司STN3N40K3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STN3N40K3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城STN3N40K3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子(香港)有限公司STN3N40K3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司STN3N40K3深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
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”13725596657“17503034873
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深圳市水星电子有限公司STN3N40K3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市深宇芯科技有限公司STN3N40K3华强北中航路都会电子城B座26B82764291
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Arrow(艾睿)
STN3N40K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W4000+:¥1.17
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Digi-Key 得捷电子
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element14 e络盟电子
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
STN3N40K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W4000+:¥1.17
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Mouser 贸泽电子
STN3N40K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W1:¥4.6104
10:¥3.8759
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4,000:¥1.5594
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Verical
STN3N40K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W4000+:¥1.17
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立创商城
STN3N40K3ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:3.4Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W 类型:N沟道1+:¥2.66
10+:¥2.02
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1000+:¥1.3167