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STLD128DNT4 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN power transistor
STLD128DNT4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

发射极 - 基极电压 VEBO:18 V

最大直流电集电极电流:6 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:STL128DN

直流电流增益 hFE 最大值:10

高度:2.4 mm

长度:6.2 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:6.6 mm

商标:STMicroelectronics

集电极连续电流:3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:8

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:260.400 mg

供应商STLD128DNT4
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STLD128DNT4STMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN power transistor1+:¥6.62
10+:¥5.81
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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STLD128DNT4STMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN power transistor1+:¥6.62
10+:¥5.81
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1000+:¥2.661+:¥5.1
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