其它有关文件：STL80N75F6 View All Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：DeepGATE?，STripFET? VI

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.3 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：100nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：7120pF @ 25V

功率 - 最大值：80W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）

其它名称：497-12981-2