其它有关文件：STL66DN3LLH5 View All Specifications

产品培训模块：Automotive Grade Transistors and Discretes

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：STripFET?? V

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：78.5A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：12nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1500pF @ 25V

功率 - 最大值：72W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）

其它名称：497-12271-2