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STL60N10F7 /MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
STL60N10F7的规格信息
STL60N10F7的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:16.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:5 W

配置:Single

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL60N10F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:15.2 ns

供应商STL60N10F7
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现代芯城（深圳）科技有限公司STL60N10F7www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STL60N10F7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司STL60N10F7航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STL60N10F7深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STL60N10F7深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司STL60N10F7深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STL60N10F7深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市高捷半导体有限公司STL60N10F7深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市星宇佳科技有限公司STL60N10F7深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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ChipOneStop		STL60N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?， STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate1+:￥20.3
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Mouser 贸泽电子		STL60N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate1:¥20.2835
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RS(欧时)		STL60N10F7STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?， STripFET? VII 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate1+:￥20.3
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