其它有关文件:STL60N32N3LL View All Specifications
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:STripFET??
包装:带卷(TR)
FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A,60A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.2 毫欧 @ 6.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 25V
功率 - 最大值:23W,50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PowerFlat?(5x6)
其它名称:497-13428-2