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STL57N65M5 /MOSFET N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5的规格信息
STL57N65M5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-8x8-HV-5

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:22.5 A

Rds On-漏源导通电阻:61 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:96 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:189 W

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL57N65M5

商标:STMicroelectronics

下降时间:11 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:10.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

单位重量:181.011 mg

供应商STL57N65M5
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Digi-Key 得捷电子
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Verical
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