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STL11N3LLH6 /MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
STL11N3LLH6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-3.3x3.3-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL11N3LLH6

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

供应商STL11N3LLH6
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现代芯城(深圳)科技有限公司STL11N3LLH6www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司STL11N3LLH6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司STL11N3LLH6华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市佳威星科技有限公司STL11N3LLH6深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市瑞浩芯科技有限公司STL11N3LLH6深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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STL11N3LLH6N-channel 30 V, 0.006 typ., 11 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1031.03 Kbytes共14页STL11N3LLH6的PDF下载地址
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STL11N3LLH6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep1+:¥12.51
10+:¥11.31
25+:¥10.13
100+:¥9.11
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1000+:¥5.851+:¥9.19
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STL11N3LLH6STMicroelectronicsPOWER MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.7865
14,999 : $0.7561
29,999 : $0.7452
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STL11N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT$1.09000
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STL11N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT6,000 : $0.702
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STL11N3LLH6STMicroelectronicsN-Channel 30 V 7.5 mOhm STripFET? VI DeepGATE? Power Mosfet
RoHS : Compliant
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Mouser 贸泽电子
STL11N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep1:¥7.5258
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9,000:查看
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Mouser 贸泽电子
STL11N3LLH6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VI 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep1+:¥12.51
10+:¥11.31
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STL11N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat T/R$0.8713
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Verical
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