制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:107 A

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:72.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:STL115N10F7AG

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:38 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:33 ns