系列：DeepGATE™，STripFET™ VII

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：107A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：72nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：5117pF @ 50V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：136W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

封装形式Package：Power

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：100V

连续漏极电流ID：110A

RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 175 C

5 W：Pd - 功率消耗

安装风格：SMD/SMT

品牌：STMicroelectronics

最低工作温度：- 55 C

标准包装数量：3000

晶体管极性：N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：100 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：20 V

Id - C连续漏极电流：21 A

Rds On - 漏-源电阻：6 m0hms

配置：Dual Dual Source

Vgs th - 门源门限电压：2 V to 4 V

60 nC：Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs