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STGP30M65DF2 /M Series 650 V 30 A Flange Mount Trench Gate Field Stop IGBT - TO-220
STGP30M65DF2的规格信息
STGP30M65DF2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极（Ic）（最大值）：60A

脉冲电流-集电极(Icm)：120A

不同 Vge，Ic时的 Vce（on）：2V @ 15V，30A

功率-最大值：258W

开关能量：300µJ（开），960µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：80nC

25°C时Td（开/关）值：31.6ns/115ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：140ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商STGP30M65DF2
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集好芯城STGP30M65DF2深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市芯幂科技有限公司STGP30M65DF2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市德州众泰科技有限公司STGP30M65DF2深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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深圳市河锋鑫科技有限公司STGP30M65DF2华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市博浩通科技有限公司STGP30M65DF2华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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STGP30M65DF2IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO525.75 Kbytes共16页STGP30M65DF2的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		STGP30M65DF2STMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss1:¥17.5941
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