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STGP15H60DF /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGP15H60DF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,15A

功率 - 最大值:115W

开关能量:136µJ(开),207µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:81nC

25°C 时 Td(开/关)值:24.5ns/118ns

测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):103ns

封装/外壳:TO-220-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

其它名称:497-14278-5STGP15H60DF-ND

供应商STGP15H60DF
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STGP15H60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd1+:¥12.36
10+:¥10.04
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STGP15H60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd1+:¥12.36
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STGP15H60DFSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd1:¥15.5262
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Mouser 贸泽电子
STGP15H60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd1+:¥12.36
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1000+:¥6.261+:¥12.34
10+:¥9.94
100+:¥7.94
500+:¥7.94
1000+:¥7.42
2500+:¥6.81
5000+:¥6.75
10000+:¥6.48
25000+:¥6.29