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STGP10H60DF /STMicroelectronics/分立半导体产品
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特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.95V @ 15V,10A

功率 - 最大值:115W

开关能量:83µJ(开),140µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:57nC

25°C 时 Td(开/关)值:19.5ns/103ns

测试条件:400V,10A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):107ns

封装/外壳:TO-220-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

配用:497-15236-ND - BOARD DEMO L6390 STGP10NC60

其它名称:497-14277-5STGP10H60DF-ND

供应商STGP10H60DF
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STGP10H60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd1+:¥11.27
10+:¥9.09
100+:¥7.27
500+:¥6.38
1000+:¥5.791+:¥11.3501
10+:¥9.19
100+:¥7.36
500+:¥7.3501
1000+:¥6.85
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25000+:¥5.8150+:¥8.25
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10+:¥9.09
100+:¥7.27
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STGP10H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 20A 115W TO220$1.47000
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Future(富昌)
STGP10H60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd1+:¥11.27
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1000+:¥6.85
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25000+:¥5.8150+:¥8.25
250+:¥7.16
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Mouser 贸泽电子
STGP10H60DFSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
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Mouser 贸泽电子
STGP10H60DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd1+:¥11.27
10+:¥9.09
100+:¥7.27
500+:¥6.38
1000+:¥5.791+:¥11.3501
10+:¥9.19
100+:¥7.36
500+:¥7.3501
1000+:¥6.85
2500+:¥6.29
5000+:¥6.23
10000+:¥5.99
25000+:¥5.81