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STF9NK90Z /MOSFET N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A
STF9NK90Z的规格信息
STF9NK90Z的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:1.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STF9NK90Z

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:330 mg

供应商STF9NK90Z
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STF9NK90Z连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO989.36 Kbytes共17页STF9NK90Z的PDF下载地址
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STF9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1000+:¥14.871+:¥23.69
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100+:¥16.8999
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STF9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1000+:¥14.871+:¥23.69
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Digi-Key 得捷电子
STF9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1000+:¥14.87
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Digi-Key 得捷电子
STF9NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 8A TO220FP$4.26000
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element14 e络盟电子
STF9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1000+:¥14.871+:¥23.69
10+:¥19.0501
100+:¥16.8999
250+:¥15.74
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Mouser 贸泽电子
STF9NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A1:¥29.7416
10:¥25.2781
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250:¥20.8259
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Mouser 贸泽电子
STF9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1000+:¥14.871+:¥23.69
10+:¥19.0501
100+:¥16.8999
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500+:¥15.74
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5000+:¥14
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RS(欧时)
STF9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1000+:¥14.871+:¥23.69
10+:¥19.0501
100+:¥16.8999
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Verical
STF9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1000+:¥14.871+:¥23.69
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51+:¥12.07
401+:¥8.621+:¥5.07
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立创商城
STF9NK90ZST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.41
10+:¥4.97
30+:¥4.71
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1000+:¥4.27