其它有关文件：STB50N25M5 View All Specifications

产品培训模块：5th Generation High Voltage Mosfet Technology

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MDmesh? V

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：44nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1700pF @ 50V

功率 - 最大值：110W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

其它名称：497-10024-2