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STB46N30M5 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STB46N30M5的规格信息
STB46N30M5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:MDmesh? V

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):300V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 26.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):95nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4240pF @ 100V

功率 - 最大值:250W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:D2PAK

其它名称:497-14964-2

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STB46N30M5STMicroelectronics1000+:¥26.51
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STB46N30M5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 0.037 Ohm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package1:¥49.3358
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250+:¥29.0701
500+:¥29.0701
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