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STB45N60DM2AG /MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
STB45N60DM2AG的规格信息
STB45N60DM2AG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:34 A

Rds On-漏源导通电阻:93 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

产品:Power MOSFET

系列:STB45N60DM2AG

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

类型:High Voltage

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:85 ns

典型接通延迟时间:29 ns

单位重量:4 g

供应商STB45N60DM2AG
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 34A D2PAK$5.54000
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Mouser 贸泽电子		STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.4417
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