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SQ4850EY-T1_BE3 /MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
SQ4850EY-T1_BE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)6.8W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-SOIC

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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