制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7.3 A, 5.3 A

Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V, 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:5.9 nC, 7.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.3 W, 3.3 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:22 S, 5.5 S

下降时间:19 ns, 16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns, 17 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns, 19 ns

典型接通延迟时间:7 ns, 6 ns

单位重量:74 mg