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SQ4153EY-T1_BE3 /MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
SQ4153EY-T1_BE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)12 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.32mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs151 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 6 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)7.1W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-SOIC

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商SQ4153EY-T1_BE3
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