SQ3427EV-T1_GE3
/MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3427EV-T1_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-6
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:5.3 A
Rds On-漏源导通电阻:95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:15.3 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.1 mm
长度:3.05 mm
系列:SQ
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:1.65 mm
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:9 S
下降时间:33 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:24 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:25 ns
典型接通延迟时间:8 ns
SQ3427EV-T1_GE3
SQ3427EV-T1_GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SQ3427EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | 1:¥4.8364 10:¥3.9211 100:¥2.9832 500:¥2.4634 1,000:¥1.9662 3,000:¥1.7854
|
 立创商城 | SQ3427EV-T1_GE3 | VISHAY(威世) | 预售晶体管 | 1+:¥5.98 200+:¥2.32 500+:¥2.23 1000+:¥2.19
|