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SQ3425EV-T1_BE3 /MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
SQ3425EV-T1_BE3的规格信息
SQ3425EV-T1_BE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.3 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds840 pF @ 10 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)5W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商SQ3425EV-T1_BE3
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