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SQ3418EV-T1_GE3 /MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3418EV-T1_GE3的规格信息
SQ3418EV-T1_GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:26 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:12.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:21 S

下降时间:37 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:28 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:6 ns

供应商SQ3418EV-T1_GE3
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQ3418EV-T1_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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