FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5.5V @ 350µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：970pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 4.6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO251-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：7.3A

Rds On-漏源导通电阻：600mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：3.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：27nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：83W

通道模式：Enhancement

商标名：CoolMOS

封装：Tube

高度：6.22mm

长度：6.73mm

系列：CoolMOSS5

晶体管类型：1N-Channel

宽度：2.38mm

下降时间：20ns

上升时间：40ns

典型关闭延迟时间：170ns

典型接通延迟时间：120ns

封装/外壳：PG-TO251-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs