封装/外壳：PG-TO251-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：4.5A

Rds On-漏源导通电阻：950mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：3.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：17.6nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：50W

通道模式：Enhancement

高度：6.22mm

长度：6.73mm

系列：CoolMOSS5

晶体管类型：1N-Channel

宽度：2.38mm

下降时间：15ns

上升时间：30ns

典型关闭延迟时间：60ns

典型接通延迟时间：55ns

Packing Type：TUBE

RDS (on) max：950.0mΩ

IDpuls max：9.0A

VDS max：600.0V

ID max：4.5 A

RthJC max：2.5 K/W

QG (typ @10V)：17.6 nC

Package：IPAK (TO-251)

Ptot max：50.0W

Polarity：N

VGS(th) min max：3.5 V 5.5 V

Mounting：THT

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs