FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 350µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：27nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：790pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 4.6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO251-3

封装/外壳：PG-TO251-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：7.3 A

最大漏源电压：650 V

最大漏源电阻值：600 m0hms

最大栅阈值电压：2.9V

最小栅阈值电压：2.1V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：IPAK (TO-251)

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：83 W

宽度：2.41mm

最高工作温度：+150 °C

最低工作温度：-55 °C

高度：6.22mm

每片芯片元件数目：1

正向跨导：6S

正向二极管电压：1.2V

系列：CoolMOS C3

尺寸：6.73 x 2.41 x 6.22mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：21 nC

典型输入电容值@Vds：790 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：60 ns

典型接通延迟时间：6 ns

长度：6.73mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs